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升降機構運動部件是整個機構的核心部件，完成升降運動是傳輸系統(tǒng)對機構的核心要求。通過的檢測裝置測量運動部件的位置，反映其運動速度、時間以及重要的定位情況。升降機構的定位精度直接影響晶圓到達工件臺上的精度。
晶圓升降機構是自動控制的，通過音圈電機完成升降運動。如果電機失控此時機構正處于升降運動中，運動部件會上升到高點停不下來頂住外部結構過長時間從而損壞電機。為了避免以上問題，在機構中增加保護措施，確保機構運行的安全性。
晶圓升降機構中的真空吸附系統(tǒng)是用來吸附和釋放品圓，從而進行晶圓的檢測和傳輸，以便實現(xiàn)傳輸?shù)摹C構要求晶圓定位精度高，真空吸附系統(tǒng)在吸附和釋放晶圓過程中盡量減小沖擊，要求吸附的時候應當緩慢地增加或減小真空壓力，使得壓力變化為斜坡變化，大限度減小晶圓在真空吸附下精度的損失。
目前，半導體制程設備中，常常需要用電機通過傳動帶帶動滾珠絲桿，來控制晶圓的升降。而傳動帶通過摩擦來傳遞動力，因此傳動帶要調整張緊力以獲得合適的摩擦力。通過調整傳動帶的張緊度可以調整傳動帶和齒輪之間的摩擦力，傳動帶的張緊度可通過調節(jié)電機位置進行調整。另外傳動帶過緊會使傳動帶磨損嚴重，過松則易產生打滑現(xiàn)象，使傳動帶嚴重磨損甚至燒壞。
晶圓生產過程中，需要采用多種工藝進行處理。處理工藝多是在設備內進行。如潤濕處理，需在潤濕槽內進行。電鍍需要在電鍍槽內進行。而現(xiàn)有技術中，將濕晶圓放入或取出處理裝置的一系列工序都需人工操作，一方面會降低生產效率，提高生產成本，另一方面也會因人工操作不當導致晶圓的損壞，降低生產合格率。同時，人工操作所需空間大，空間利用率低。人工操作的另一個弊端是勞動強度大，效率低，無法滿足大規(guī)模生產的需要。人工操作還會導致工人接觸電鍍液或潤濕液而危害工人身體健康。
隨著制造工藝的進步，所加工的硅片直徑越來越大，而器件特征尺寸在不斷縮小，單位面積上能夠容納的集成電路數(shù)量劇增，成品率顯著提高，單位產品的成本大幅度降低，可靠性等性能指標顯著提升，促進了大生產的規(guī)模化。
